Iii-V-Transistoren mit Zugbelastung in Source und Drain für Mobilitätsverbesserten N-Mos
EP3087609
Art B1
28. Oktober 2020
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3087609
- Aktenzeichen
- EP13900120
- Anmeldetag
- 23. Dezember 2013
- Veröffentlichung
- 28. Oktober 2020
- Erteilung
- 28. Oktober 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/205H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Boehmert & Boehmert
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Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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