Verfahren zur Herstellung von High-K/metallgate Cmos Transistoren mit Titannitrid-Gates
EP3090445
Art B1
21. Januar 2026
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3090445
- Aktenzeichen
- EP14876620
- Anmeldetag
- 31. Dezember 2014
- Veröffentlichung
- 21. Januar 2026
- Erteilung
- 21. Januar 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H10D84/01H10D84/03// H01L21/3213H10D64/66H10D64/68H10D64/01
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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