Mehrebenenbetrieb eines Nichtflüchtigen Speichers auf Streifenbasis

EP3091438 Art B1 31. Januar 2018

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3091438
Aktenzeichen
EP16020183
Anmeldetag
29. August 2011
Veröffentlichung
31. Januar 2018
Erteilung
31. Januar 2018
Rechtsraum
EP
IPC
G06F12/00G11C16/10G11C11/56
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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