Photolithographisches Verfahren für die Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP3093712
Art A1
16. November 2016
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3093712
- Aktenzeichen
- EP16166157
- Anmeldetag
- 20. April 2016
- Veröffentlichung
- 16. November 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F7/20// H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Moore, Graeme Patrick
London, Großbritannien
1.021
Patente gesamt
32
Fachgebiete
15
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Betten & Resch
Betten & Resch · München