Verfahrung zur Steuerung eines Doppelt Diffundierten Mos (dmos) Hochspannungstransistors

EP3095131 Art B1 8. Oktober 2025

Anmelder: Microchip Technology Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3095131
Aktenzeichen
EP15706074
Anmeldetag
14. Januar 2015
Veröffentlichung
8. Oktober 2025
Erteilung
8. Oktober 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H10B41/35H10B41/48H10D30/01H10D30/65H10D62/10H10D64/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Microchip Technology Incorporated
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Grubert, Andreas München, Deutschland
875
Patente gesamt
31
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Software & Datenverarbeitung Elektronik & Schaltungstechnik Medizintechnik & Gesundheit Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Zum Anwaltsprofil
Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen