Integrierte Schaltung aus Tunnelfeldeffekttransistoren und Verfahren zur Herstellung davon
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3104403
- Aktenzeichen
- EP15761826
- Anmeldetag
- 20. Februar 2015
- Veröffentlichung
- 14. Dezember 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234H01L27/088H01L21/84H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
National Institute Of Advanced Industrial Science - Land
- 🇯🇵 Japan
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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Fachgebiete
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