Vorrichtung für Feldeffekt-Transistor-Basierte Bauelemente und Zugehörige Verfahren

EP3104416 Art A1 14. Dezember 2016

Anmelder: Nokia Technologies Oy 🇫🇮

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3104416
Aktenzeichen: EP15171088
Anmeldetag: 9. Juni 2015
Veröffentlichung: 14. Dezember 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L29/423H01L29/417// H01L29/16G01N27/414

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nokia Technologies Oy
Land: 🇫🇮 Finnland

🇫🇮 Nokia Technologies

Finnisches Unternehmen der Nokia-Gruppe, das sich auf Patentlizenzierung sowie Forschung und Entwicklung im Bereich Mobilfunk-, Multimedia- und Netzwerktechnologien konzentriert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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