Mit einem Gitter Abgedeckte Spad-Fotodiode

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3104421

Aktenzeichen

EP16173520

Anmeldetag

8. Juni 2016

Veröffentlichung

22. März 2023

Erteilung

22. März 2023

Rechtsraum

EP

IPC

H01L31/107H01L27/144

Abstract

L'invention concerne une photodiode SPAD (100) présentant une couche en matériau semi-conducteur (110), comprenant une zone dopée N (111) et une zone dopée P (112) séparées par une zone d'avalanche (113). La couche en matériau semi-conducteur (110) est intercalée entre une structure périodique (120), et une couche bas indice (130) présentant un indice de réfraction inférieur à celui de la couche en matériau semi-conducteur et à celui de la structure périodique. La structure périodique (120) est déposée directement sur la couche en matériau semi-conducteur. La photodiode offre ainsi une faible dispersion temporelle et une forte efficacité quantique, sans nécessiter de forte tension d'accélération des charges.

Anmelder

Firma

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete