Speicherschaltung zum Niedrigen Versorgungsspannung

EP3107103 Art B1 9. Oktober 2019

Anmelder: EM Microelectronic-Marin SA 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3107103
Aktenzeichen
EP16161445
Anmeldetag
21. März 2016
Veröffentlichung
9. Oktober 2019
Erteilung
9. Oktober 2019
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/06G11C7/12G11C7/18// G11C16/26
Offizieller Volltext

Abstract

The present invention relates to a memory circuit comprising: - at least one bit cell (12) for storing data and having a first terminal (15) and a second terminal (17), wherein one of said terminals (15, 17) is coupled to a bit-line (16), - at least one current switch (20) connected to the bit-line (16) and connected to a current source (22) and being operable to selectively provide a current to the bit cell (12), - a sense amplifier (30) having at least one input (31) connected to a sensing node (33) on the bit-line (16), wherein the sensing node (33) is located between the bit cell (12) and the at least one current switch (20).

Anmelder

Firma
EM Microelectronic-Marin SA
Land
🇨🇭 Schweiz
🇨🇭 EM Microelectronic-Marin

EM Microelectronic-Marin ist ein Schweizer Halbleiterhersteller mit Sitz in Marin-Epagnier, der zum Swatch-Konzern gehört und energiesparende Mikrochips entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Elektronik-, Mess- und Nachrichtentechnik. Anmeldungen erstrecken sich durchgehend von 2000 bis heute.

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