Getterstruktur und Verfahren zur Herstellung Solch einer Struktur

EP3111179 Art B1 22. Juli 2020

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3111179
Aktenzeichen: EP15710030
Anmeldetag: 20. Februar 2015
Veröffentlichung: 22. Juli 2020
Erteilung: 22. Juli 2020
Rechtsraum: EP
IPC: G01J5/04G02B19/00H01L23/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Optik & Fototechnik

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