Feldeffekttransistor mit Heteroübergang

EP3117465 Art B1 20. Juli 2022

Anmelder: OMMIC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3117465
Aktenzeichen
EP15717017
Anmeldetag
10. März 2015
Veröffentlichung
20. Juli 2022
Erteilung
20. Juli 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/778H01L21/338H01L29/207H01L29/08H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
OMMIC
Land
🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Radault, Gabrielle Paris, Frankreich
97
Patente gesamt
27
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Verpackungs- & Fördertechnik Hochbau & Gebäudetechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Verfahrens- & Trenntechnik Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
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