Halbleiterlaservorrichtung

EP3118949 Art A1 18. Januar 2017

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3118949
Aktenzeichen
EP14885616
Anmeldetag
4. September 2014
Veröffentlichung
18. Januar 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01S5/343G01N21/3504H01S5/10H01S5/227H01S5/34
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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