Segmentierter Vertikaler Npn-Bipolartransistor
EP3120386
Art B1
17. Juli 2024
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3120386
- Aktenzeichen
- EP15764623
- Anmeldetag
- 23. März 2015
- Veröffentlichung
- 17. Juli 2024
- Erteilung
- 17. Juli 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/732H01L27/02H01L29/417H01L29/08H01L27/082// H01L27/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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