Halbleiter-Wafer mit Substratdurchgängen und Rückseitenmetall, sowie Verfahren zu Ihrer Herstellung

EP3121846 Art B1 21. März 2018

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3121846
Aktenzeichen
EP16181064
Anmeldetag
25. Juli 2016
Veröffentlichung
21. März 2018
Erteilung
21. März 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/768H01L21/683H01L23/48H01L23/544H01L23/522
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

1.545 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Lee, Candice Jane NXP SEMICONDUCTORS · Inhouse Redhill, Großbritannien
321
Patente gesamt
15
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Akustik, Musik & Datenspeicherung
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