Beschichtungslösung für Emissionsfreies Organisches Halbleiterbauelement, Organischer Transistor, Verbindung, Organisches Halbleitermaterial für Emissionsfreies Organisches Halbleiterbauelement, Material für einen Organischen Transistor, Verfahren zur Herstellung eines Organischen Transistors und Verfahren zur Herstellung einer Organischen Halbleiterschicht
EP3125298
Art B1
18. Mai 2022
Anmelder: FUJIFILM Corporation, The University of Tokyo, Fujifilm Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3125298
- Aktenzeichen
- EP15769753
- Anmeldetag
- 26. März 2015
- Veröffentlichung
- 18. Mai 2022
- Erteilung
- 18. Mai 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L51/00C07D495/14H01L51/05
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- FUJIFILM Corporation
The University of Tokyo
Fujifilm Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujifilm
Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.
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🇯🇵
University of Tokyo
Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München