Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers zur Herstellung eines Soi-Substrats und damit Hergestellter Soi-Substratwafer

EP3127142 Art B1 7. Februar 2024

Anmelder: STMicroelectronics France, STMicroelectronics SA 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3127142
Aktenzeichen: EP15712173
Anmeldetag: 27. März 2015
Veröffentlichung: 7. Februar 2024
Erteilung: 7. Februar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L29/04H01L21/763H01L21/762H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: STMicroelectronics France
STMicroelectronics SA
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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