Integrierte Schaltungsvorrichtung und Verfahren zur Reduzierung von Sram-Reststrom
EP3128426
Art B1
1. Mai 2019
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3128426
- Aktenzeichen
- EP16180731
- Anmeldetag
- 22. Juli 2016
- Veröffentlichung
- 1. Mai 2019
- Erteilung
- 1. Mai 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F11/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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