Leuchtdiodenchip mit Integriertem Schutz gegen Elektrostatische Entladungen und Entsprechendes Herstellungsverfahren
EP3128555
Art B1
18. August 2021
Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Osram Opto Semiconductors Gmbh 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3128555
- Aktenzeichen
- EP16187828
- Anmeldetag
- 25. Juni 2009
- Veröffentlichung
- 18. August 2021
- Erteilung
- 18. August 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/15H01L33/38
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Osram Opto Semiconductors Gmbh - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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