Soi Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP3131119 Art A1 15. Februar 2017

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3131119
Aktenzeichen: EP16182298
Anmeldetag: 2. August 2016
Veröffentlichung: 15. Februar 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/12H01L21/84H01L21/762H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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