Isolierte Halbleiterschicht in einem Bulk-Wafer durch Lokalisierte Siliziumepitaxialkeimbildung
EP3132468
Art B1
10. April 2024
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3132468
- Aktenzeichen
- EP15780680
- Anmeldetag
- 13. April 2015
- Veröffentlichung
- 10. April 2024
- Erteilung
- 10. April 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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