Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP3133648 Art A1 22. Februar 2017

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3133648
Aktenzeichen: EP16183407
Anmeldetag: 9. August 2016
Veröffentlichung: 22. Februar 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L29/40H01L29/423H01L29/66H01L29/739// H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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