Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3136423
- Aktenzeichen
- EP16183776
- Anmeldetag
- 11. August 2016
- Veröffentlichung
- 17. Mai 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/08H01L29/66H01L29/792
Abstract
Performances of a semiconductor device are improved. The semiconductor device has: a gate electrode formed on an SOI layer of an SOI substrate via a gate insulating film having a charge storage film therein; an n-type semiconductor region and a p-type semiconductor region respectively formed on SOI layers on both sides of the gate electrode. A memory cell MC serving as a non-volatile memory cell is formed of the gate insulating film, the gate electrode, the n-type semiconductor region and the p-type semiconductor region.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Betten & Resch
Betten & Resch · München