Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements

EP3136424 Art A3 23. August 2017

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3136424
Aktenzeichen
EP16184770
Anmeldetag
18. August 2016
Veröffentlichung
23. August 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/28H01L29/423H01L29/66H01L29/792H01L27/11565H01L27/1157H01L27/11573
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Renesas Electronics Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen