Hochfrequenz-Halbleiterbauelement

EP3136442 Art A1 1. März 2017

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3136442
Aktenzeichen
EP16185107
Anmeldetag
22. August 2016
Veröffentlichung
1. März 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/417H01L29/423// H01L29/778H01L29/812H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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