Ferroelektrischer Speicher und Verfahren zur Formung davon

EP3138128 Art A1 8. März 2017

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3138128
Aktenzeichen: EP15785385
Anmeldetag: 22. April 2015
Veröffentlichung: 8. März 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/11507H01L29/423H01L49/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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