Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Rippenrelaxation und Zugehörige Strukturen

EP3140858 Art B1 15. März 2023

Anmelder: Soitec, STMicroelectronics, Inc. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3140858
Aktenzeichen: EP15720893
Anmeldetag: 28. April 2015
Veröffentlichung: 15. März 2023
Erteilung: 15. März 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
STMicroelectronics, Inc.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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