Halbleiterstruktur mit Schicht aus Passiviertem Iii-Nitrid und Verfahren zur Herstellung davon
EP3140868
Art B1
26. Januar 2022
Anmelder: HRL Laboratories, LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3140868
- Aktenzeichen
- EP15789087
- Anmeldetag
- 22. April 2015
- Veröffentlichung
- 26. Januar 2022
- Erteilung
- 26. Januar 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/318H01L21/336H01L23/29H01L21/02// H01L29/20H01L29/423H01L29/417
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- HRL Laboratories, LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
HRL Laboratories
HRL Laboratories ist ein US-amerikanisches Forschungslabor, das gemeinsam von Boeing und General Motors betrieben wird und in verschiedenen Technologiefeldern forscht. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt durch Nachrichtentechnik und Messtechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.
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