Kristallisierung von Additiven an P/n-Übergängen von Photoaktiven Bulk-Heteroübergangsschichten

EP3140872 Art A1 15. März 2017

Anmelder: SABIC Global Technologies B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3140872
Aktenzeichen: EP15729567
Anmeldetag: 27. April 2015
Veröffentlichung: 15. März 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L51/42

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SABIC Global Technologies B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 SABIC Global Technologies

Niederländische Tochtergesellschaft des saudi-arabischen Chemiekonzerns SABIC, bündelt Forschung und geistiges Eigentum für petrochemische Produkte und Kunststoffe.

3.171 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von