Statischer Direktzugriffspeicher (sram) mit Programmierbaren Widerstandselementen
EP3142121
Art B1
4. Dezember 2019
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3142121
- Aktenzeichen
- EP16184857
- Anmeldetag
- 19. August 2016
- Veröffentlichung
- 4. Dezember 2019
- Erteilung
- 4. Dezember 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C14/00G11C11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Terblanche, Candice Jane
NoneRedhill