Verfahren zur Verarbeitung eines Halbleitersubstrats mit Breiter Bandlücke
EP3142142
Art B1
13. Dezember 2023
Anmelder: Osaka University, Tohokoki Seisakusho Co., Ltd., TohoKoki Co., Ltd., TOHO Engineering Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3142142
- Aktenzeichen
- EP15762449
- Anmeldetag
- 11. März 2015
- Veröffentlichung
- 13. Dezember 2023
- Erteilung
- 13. Dezember 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/302H01L21/306H01L21/04H01L21/67
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Osaka University
Tohokoki Seisakusho Co., Ltd.
TohoKoki Co., Ltd.
TOHO Engineering Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Osaka University
Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.
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