Sram-Zelle mit Dual-Write-Wortleitung
EP3143622
Art B1
3. Oktober 2018
Anmelder: Qualcomm Incorporated, Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3143622
- Aktenzeichen
- EP15730011
- Anmeldetag
- 4. Juni 2015
- Veröffentlichung
- 3. Oktober 2018
- Erteilung
- 3. Oktober 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C8/14G11C11/412G11C11/419// G11C7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Qualcomm Incorporated
Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Qualcomm
US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in San Diego. Qualcomm entwickelt Chipsätze und drahtlose Kommunikationstechnologien für Mobiltelefone, Netzwerke, Automobile und vernetzte Geräte.
20.973 Patente in unserer Datenbank
🇰🇷
Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University
Technologietransfer- und Patentverwertungsstelle der Yonsei University in Südkorea, verwaltet Erfindungen aus der universitären Forschung.
913 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Dunlop, Hugh Christopher
Basingstoke, Großbritannien
8.154
Patente gesamt
31
Fachgebiete
18
Anmelder-Länder
Schwerpunkte