Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermaterials mit einer Halbpolaren Iii-Nitrid-Schicht

EP3146558 Art B1 13. September 2023

Anmelder: Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.) 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3146558
Aktenzeichen: EP15725563
Anmeldetag: 20. Mai 2015
Veröffentlichung: 13. September 2023
Erteilung: 13. September 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L33/16C30B25/04C30B25/18C30B29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.)
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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