Polare, Chirale und Nicht-Zentrosymmetrische Ferroelektrische Materialien, Speicherzellen mit Solchen Materialien sowie Zugehörige Vorrichtungen und Verfahren

EP3146566 Art B1 16. März 2022

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3146566
Aktenzeichen: EP15796671
Anmeldetag: 23. April 2015
Veröffentlichung: 16. März 2022
Erteilung: 16. März 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/11507H01L21/768H01L21/28H01L29/51H01L29/66H01L29/78H01L27/1159H01L49/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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