Verbindungsstruktur mit Redundanten Elektrischen Verbindern sowie Zugehörige Systeme und Verfahren

EP3149770 Art B1 20. April 2022

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3149770
Aktenzeichen: EP15800355
Anmeldetag: 22. Mai 2015
Veröffentlichung: 20. April 2022
Erteilung: 20. April 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L25/065H01L25/18H01L25/00H01L23/00H01L23/48H01L21/768H01L23/31H01L23/367H01L21/56H01L23/498

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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