Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung durch Direktes Verbinden von Silberoxid auf einer Oberfläche eines Halbleiterbauelements mit Silber oder Silberoxid auf einer Oberfläche einer Basis
EP3151268
Art B1
1. April 2020
Anmelder: NICHIA CORPORATION, Nichia Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3151268
- Aktenzeichen
- EP16002295
- Anmeldetag
- 20. Januar 2010
- Veröffentlichung
- 1. April 2020
- Erteilung
- 1. April 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/58H01L21/60H01L33/40H01L33/48H01L33/62H01S5/022
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NICHIA CORPORATION
Nichia Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nichia
Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.
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