Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements
EP3151272
Art A1
5. April 2017
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3151272
- Aktenzeichen
- EP16189368
- Anmeldetag
- 18. September 2016
- Veröffentlichung
- 5. April 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/485H01L21/3105H01L23/528H01L23/532
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Vertreten von
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Betten & Resch
Betten & Resch · München