Halbleitergehäuse mit einer Isolationswandkopplung
EP3151273
Art A1
5. April 2017
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3151273
- Aktenzeichen
- EP16194094
- Anmeldetag
- 3. Dezember 2014
- Veröffentlichung
- 5. April 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/495H01L21/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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