Fotodiode mit Intensiver Fotospannung oder Intensiven Fotoströmen
EP3157061
Art A1
19. April 2017
Anmelder: Fundacio Privada Institut Catala de Nanociencia I Nanotecnologia (ICN2), Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC), Institució Catalana De Recerca I Estudis Avançats (ICREA), Consejo Superior de Investigaciones Cientificas (CSIC) 🇪🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3157061
- Aktenzeichen
- EP15190177
- Anmeldetag
- 16. Oktober 2015
- Veröffentlichung
- 19. April 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/0224H01L31/032H01L31/08H01L31/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Fundacio Privada Institut Catala de Nanociencia I Nanotecnologia (ICN2)
Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Institució Catalana De Recerca I Estudis Avançats (ICREA)
Consejo Superior de Investigaciones Cientificas (CSIC) - Land
- 🇪🇸 Spanien
🇪🇸
Consejo Superior de Investigaciones Científicas
Größte staatliche Forschungseinrichtung Spaniens mit Sitz in Madrid, tätig in nahezu allen Wissenschaftsbereichen von Naturwissenschaften bis Geisteswissenschaften. Die Institution (CSIC) betreibt zahlreiche Forschungszentren im ganzen Land.
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Carpintero Lopez, Francisco
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