Halbleiterstrukturen mit Verbindungsschichten, Photovoltaische Zellen mit Mehrfachanschluss und Zugehörige Verfahren

EP3161877 Art B1 19. Januar 2022

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3161877
Aktenzeichen: EP15730531
Anmeldetag: 10. Juni 2015
Veröffentlichung: 19. Januar 2022
Erteilung: 19. Januar 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/0687H01L31/0304H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von