Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung durch Direktes Verbinden von Silber auf einer Oberfläche eines Halbleiterbauelements mit Silberoxid auf einer Oberfläche einer Basis
EP3163601
Art B1
11. März 2020
Anmelder: NICHIA CORPORATION, Nichia Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3163601
- Aktenzeichen
- EP16002296
- Anmeldetag
- 20. Januar 2010
- Veröffentlichung
- 11. März 2020
- Erteilung
- 11. März 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/58H01L21/60H01L33/40H01L33/48H01L33/62H01S5/022
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NICHIA CORPORATION
Nichia Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nichia
Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.
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