Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung durch Verbinden von Silber auf einer Oberfläche eines Halbleiterbauelements mit Silber auf einer Oberfläche einer Basis in Luft oder in einer Sauerstoffumgebung
EP3163602
Art A3
9. August 2017
Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3163602
- Aktenzeichen
- EP16002297
- Anmeldetag
- 20. Januar 2010
- Veröffentlichung
- 9. August 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/58H01L21/60H01L33/40H01L33/48H01L33/62H01S5/022
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nichia Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nichia
Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.
967 Patente in unserer Datenbank