Herstellungsverfahren von Substraten

EP3166132 Art A1 10. Mai 2017

Anmelder: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES, Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3166132
Aktenzeichen: EP16197394
Anmeldetag: 4. November 2016
Veröffentlichung: 10. Mai 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/18H01L21/20H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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