Bonddrahtverbindung und Verfahren zu dessen Herstellung

EP3166142 Art B1 21. Juli 2021

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3166142
Aktenzeichen
EP15193403
Anmeldetag
6. November 2015
Veröffentlichung
21. Juli 2021
Erteilung
21. Juli 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/49H01L21/60// H01L23/495
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.818 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Lee, Candice Jane NXP SEMICONDUCTORS · Inhouse Redhill, Großbritannien
321
Patente gesamt
15
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Akustik, Musik & Datenspeicherung
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