Sensorhalbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorhalbleiterbauelements
EP3168866
Art B1
30. Dezember 2020
Anmelder: ams AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3168866
- Aktenzeichen
- EP15194745
- Anmeldetag
- 16. November 2015
- Veröffentlichung
- 30. Dezember 2020
- Erteilung
- 30. Dezember 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/31G01N27/12
Abstract
The sensor semiconductor device comprises a substrate (1) with a main surface (2), a sensor region (3) on or above the main surface, a coating layer (4) above the main surface, and a trench (5) formed in the coating layer around the sensor region. The trench provides drainage of a liquid from the coating layer.
Anmelder
- Firma
- ams AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇩🇪
ams OSRAM
ams OSRAM International GmbH ist ein deutsch-österreichischer Hersteller von Sensoren und optoelektronischen Bauteilen, entstanden aus dem Zusammenschluss von ams und Osram.
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