Herstellungsverfahren eines Pcram-Speichers

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3168885

Aktenzeichen

EP16197921

Anmeldetag

9. November 2016

Veröffentlichung

1. August 2018

Erteilung

1. August 2018

Rechtsraum

EP

IPC

H01L45/00

Abstract

L'invention concerne un procédé de fabrication d'une mémoire PCRAM comprenant les étapes suivantes : - prévoir un substrat comprenant des électrodes inférieures ; - former dans une première couche diélectrique disposée sur le substrat une première tranchée rectiligne débouchant au moins en partie sur l'ensemble d'électrodes inférieures ; - déposer une première couche active dans la première tranchée rectiligne, de sorte que la première couche active soit disposée en contact électrique avec les électrodes inférieures ; - recouvrir la première couche active d'une deuxième couche diélectrique ; - graver dans la deuxième couche diélectrique, la première couche active et la première couche diélectrique, des tranchées rectilignes additionnelles orientées perpendiculairement à la première tranchée, de façon à obtenir un groupe de dispositifs mémoire comprenant chacun une portion de la première couche active en contact électrique avec l'une des électrodes inférieures ; - remplir les tranchées rectilignes additionnelles d'un matériau diélectrique sacrificiel ; - réaliser une gravure anisotrope du matériau diélectrique sacrificiel de façon à exposer une surface latérale de chaque portion de la première couche active ; et - recouvrir la surface latérale de chaque portion de la première couche active par une deuxième couche active.

Anmelder

Firma

COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete