Verfahren zur Bestimmung eines Überlagerungsfehlers, Herstellungsverfahren und System zur Herstellung eines Mehrschichtigen Halbleiterbauelements und Dadurch Hergestelltes Halbleiterbauelement

EP3171396 Art A1 24. Mai 2017

Anmelder: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3171396
Aktenzeichen
EP15195083
Anmeldetag
18. November 2015
Veröffentlichung
24. Mai 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/66G03F7/20
Offizieller Volltext

Abstract

This document describes a method of determining an overlay error during manufacturing of a multilayer semiconductor device. Manufacturing of the semiconductor device comprises forming a stack of material layers comprising depositing of at least two subsequent patterned layers (26, 27) of semiconductor material, the patterned layers comprising a first patterned layer (26) having a first marker element (29) and a second patterned layer (27) having a second marker element (37). The determining of the overlay error comprises determining relative positions of the first and second marker element in relation to each other, such as to determine the overlay error between the first patterned layer and the second patterned layer. In addition an imaging step is performed on at least one of said first and second patterned layer, for determining relative positions of the respective first (29) or second (37) marker element and a pattern feature of a device pattern (30, 36) comprised by said respective first (26) and second (27) patterned layer.

Anmelder

Firma
Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 TNO (Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek)

Niederländisches, unabhängiges Forschungsinstitut für angewandte Naturwissenschaften mit Sitz in Den Haag. TNO betreibt anwendungsorientierte Forschung und Entwicklung in Bereichen wie Energie, Mobilität, Gesundheit, Verteidigung und Informationstechnologie.

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