Verfahren und System zur Messung der Strom-Spannung Characteristik einer Photovoltaischen Anlage

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3171511

Aktenzeichen

EP16199189

Anmeldetag

16. November 2016

Veröffentlichung

18. Juli 2018

Erteilung

18. Juli 2018

Rechtsraum

EP

IPC

H02S50/00

Abstract

Le procédé comprend les étapes de connecter un transistor de type MOSFET à l'installation photovoltaïque ; appliquer au transistor un signal d'une tension de commande (Vgs) qui parcourt une plage de régime linéaire (Õ lin ) du transistor, comprise entre deux tensions critiques comprenant une tension de saturation (Vgs(sat)) et une tension seuil (Vgs(th)), et mesurer le courant et la tension de l'installation photovoltaïque durant le parcours de ladite plage correspondant au régime linéaire du transistor. Le signal de tension de commande (Vgs) du transistor est généré à partir d'un signal de commande numérique. Le transistor étant initialement en régime de court-circuit (Õ cc ) ou de circuit ouvert (Õ co ), on commande une première variation rapide (BT1) de la tension de commande (Vgs) vers ladite plage de régime linéaire du transistor puis une deuxième variation lente (BT2) de la tension de commande (Vgs) parcourant ladite plage de régime linéaire du transistor, la transition entre la première et la deuxième variation étant discontinue.

Anmelder

Firma

COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete