Nichtflüchtiger Speicher (nvm) mit Ausdauersteuerung
EP3176790
Art A3
13. Dezember 2017
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3176790
- Aktenzeichen
- EP16195282
- Anmeldetag
- 24. Oktober 2016
- Veröffentlichung
- 13. Dezember 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/34G11C29/02G11C29/50// G11C16/08G11C16/28G11C29/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Terblanche, Candice Jane
NoneRedhill