Nichtflüchtiger Speicher (nvm) mit Ausdauersteuerung

EP3176790 Art A3 13. Dezember 2017

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3176790
Aktenzeichen
EP16195282
Anmeldetag
24. Oktober 2016
Veröffentlichung
13. Dezember 2017
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/34G11C29/02G11C29/50// G11C16/08G11C16/28G11C29/04
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

1.545 Patente in unserer Datenbank

Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen