Verfahren und Einrichtung für Ldmos-Vorrichtungen mit Kaskadierten Resurf-Implantaten und Doppelpuffern
EP3178116
Art A1
14. Juni 2017
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3178116
- Aktenzeichen
- EP15830577
- Anmeldetag
- 7. August 2015
- Veröffentlichung
- 14. Juni 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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