Vorrichtungen und Verfahren zum Gleichzeitigen Zugreifen auf Verschiedene Speicherebenen eines Speichers

EP3180698 Art B1 2. September 2020

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3180698
Aktenzeichen
EP15832199
Anmeldetag
29. Juli 2015
Veröffentlichung
2. September 2020
Erteilung
2. September 2020
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/22G11C16/26G11C16/32
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen