Vorrichtungen und Verfahren zum Gleichzeitigen Zugreifen auf Verschiedene Speicherebenen eines Speichers
EP3180698
Art B1
2. September 2020
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3180698
- Aktenzeichen
- EP15832199
- Anmeldetag
- 29. Juli 2015
- Veröffentlichung
- 2. September 2020
- Erteilung
- 2. September 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/22G11C16/26G11C16/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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